Study on electronic properties of diamond/SiNx-coated AlGaN/GaN high electron mobility transistors operating up to 500 degrees C

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F18%3A00499566" target="_blank" >RIV/68378271:_____/18:00499566 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2018.09.014" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2018.09.014</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2018.09.014" target="_blank" >10.1016/j.diamond.2018.09.014</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Study on electronic properties of diamond/SiNx-coated AlGaN/GaN high electron mobility transistors operating up to 500 degrees C

Popis výsledku v původním jazyce

We demonstrate the functionality of the diamond/SiNx-coated and the SiNx-coated AlGaN/GaN-based c-HEMTs in the temperature range from room temperature to 500 °C. The electrical measurements revealed increase of c-HEMTs' leakage currents at reversed gate voltages after diamond deposition, although the transistors remained operable in the tested temperature range. The increase of gate leakage currents and thus more negative pinch-off voltages were attributed to hydrogen penetrated towards AlGaN/GaN interface during the 60 h deposition process despite the SiNx protection. The influence of temperature rise on electronic properties of the diamond/SiNx-coated and the SiNx-coated AlGaN/GaN-based c-HEMTs is discussed.

Název v anglickém jazyce

Study on electronic properties of diamond/SiNx-coated AlGaN/GaN high electron mobility transistors operating up to 500 degrees C

Popis výsledku anglicky

We demonstrate the functionality of the diamond/SiNx-coated and the SiNx-coated AlGaN/GaN-based c-HEMTs in the temperature range from room temperature to 500 °C. The electrical measurements revealed increase of c-HEMTs' leakage currents at reversed gate voltages after diamond deposition, although the transistors remained operable in the tested temperature range. The increase of gate leakage currents and thus more negative pinch-off voltages were attributed to hydrogen penetrated towards AlGaN/GaN interface during the 60 h deposition process despite the SiNx protection. The influence of temperature rise on electronic properties of the diamond/SiNx-coated and the SiNx-coated AlGaN/GaN-based c-HEMTs is discussed.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

<a href="/cs/project/GBP108%2F12%2FG108" target="_blank" >GBP108/12/G108: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů zářením</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Diamond and Related Materials

ISSN

0925-9635

e-ISSN

—

Svazek periodika

89

Číslo periodika v rámci svazku

Oct

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

266-272

Kód UT WoS článku

000449240000030

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85053527734