Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Finite element analysis of AlGaN/GaN micro-diaphragms with diamond coating

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00456574" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00456574 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2179126" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.2179126</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2179126" target="_blank" >10.1117/12.2179126</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Finite element analysis of AlGaN/GaN micro-diaphragms with diamond coating

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We present a pressure sensor based on diamond coated AlGaN/GaN diaphragm with integrated high electron mobility transistor (HEMT). The influence of the diamond film thickness on the properties of the AlGaN/GaN diaphragm is studied by FEM simulation. Theeffect of thermal buckling as well as the induced piezoelectric charge of HEMTs as a function of pressure and temperature is investigated. It was found out that diamond coated sensor better prevents the effect known as thermal buckling of the diaphragm at elevated temperature. Thermal buckling of diaphragms with 1,5,10 ?m diamond coating occurs at temperature 40, 73 and 142°C. Compared with original GaN diaphragm, diamond expanded the operational temperature range of the pressure sensor. Moreover, compared with the operational range of pressure sensor based on pure GaN diaphragm (up to 30 kPa), diamond coated modified MEMS sensors withstand relatively higher pressures (2.2MPa).

  • Název v anglickém jazyce

    Finite element analysis of AlGaN/GaN micro-diaphragms with diamond coating

  • Popis výsledku anglicky

    We present a pressure sensor based on diamond coated AlGaN/GaN diaphragm with integrated high electron mobility transistor (HEMT). The influence of the diamond film thickness on the properties of the AlGaN/GaN diaphragm is studied by FEM simulation. Theeffect of thermal buckling as well as the induced piezoelectric charge of HEMTs as a function of pressure and temperature is investigated. It was found out that diamond coated sensor better prevents the effect known as thermal buckling of the diaphragm at elevated temperature. Thermal buckling of diaphragms with 1,5,10 ?m diamond coating occurs at temperature 40, 73 and 142°C. Compared with original GaN diaphragm, diamond expanded the operational temperature range of the pressure sensor. Moreover, compared with the operational range of pressure sensor based on pure GaN diaphragm (up to 30 kPa), diamond coated modified MEMS sensors withstand relatively higher pressures (2.2MPa).

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GP14-16549P" target="_blank" >GP14-16549P: Ladění elektrických vlastností hybridních struktur diamantu a galium nitridu řízenou optimalizací vnitřních pnutí</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Smart Sensors, Actuators, and MEMS VII; Cyber-Physical Systems

  • ISBN

    978-1-62841-639-8

  • ISSN

    0277-786X

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    "95171I-1"-"95171I-7"

  • Název nakladatele

    SPIE

  • Místo vydání

    Bellingham

  • Místo konání akce

    Barcelona

  • Datum konání akce

    4. 5. 2015

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku

    000357978500045