Finite element analysis of AlGaN/GaN micro-diaphragms with diamond coating
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F15%3A00456574" target="_blank" >RIV/68378271:_____/15:00456574 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2179126" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.2179126</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2179126" target="_blank" >10.1117/12.2179126</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Finite element analysis of AlGaN/GaN micro-diaphragms with diamond coating
Popis výsledku v původním jazyce
We present a pressure sensor based on diamond coated AlGaN/GaN diaphragm with integrated high electron mobility transistor (HEMT). The influence of the diamond film thickness on the properties of the AlGaN/GaN diaphragm is studied by FEM simulation. Theeffect of thermal buckling as well as the induced piezoelectric charge of HEMTs as a function of pressure and temperature is investigated. It was found out that diamond coated sensor better prevents the effect known as thermal buckling of the diaphragm at elevated temperature. Thermal buckling of diaphragms with 1,5,10 ?m diamond coating occurs at temperature 40, 73 and 142°C. Compared with original GaN diaphragm, diamond expanded the operational temperature range of the pressure sensor. Moreover, compared with the operational range of pressure sensor based on pure GaN diaphragm (up to 30 kPa), diamond coated modified MEMS sensors withstand relatively higher pressures (2.2MPa).
Název v anglickém jazyce
Finite element analysis of AlGaN/GaN micro-diaphragms with diamond coating
Popis výsledku anglicky
We present a pressure sensor based on diamond coated AlGaN/GaN diaphragm with integrated high electron mobility transistor (HEMT). The influence of the diamond film thickness on the properties of the AlGaN/GaN diaphragm is studied by FEM simulation. Theeffect of thermal buckling as well as the induced piezoelectric charge of HEMTs as a function of pressure and temperature is investigated. It was found out that diamond coated sensor better prevents the effect known as thermal buckling of the diaphragm at elevated temperature. Thermal buckling of diaphragms with 1,5,10 ?m diamond coating occurs at temperature 40, 73 and 142°C. Compared with original GaN diaphragm, diamond expanded the operational temperature range of the pressure sensor. Moreover, compared with the operational range of pressure sensor based on pure GaN diaphragm (up to 30 kPa), diamond coated modified MEMS sensors withstand relatively higher pressures (2.2MPa).
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GP14-16549P" target="_blank" >GP14-16549P: Ladění elektrických vlastností hybridních struktur diamantu a galium nitridu řízenou optimalizací vnitřních pnutí</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Smart Sensors, Actuators, and MEMS VII; Cyber-Physical Systems
ISBN
978-1-62841-639-8
ISSN
0277-786X
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
"95171I-1"-"95171I-7"
Název nakladatele
SPIE
Místo vydání
Bellingham
Místo konání akce
Barcelona
Datum konání akce
4. 5. 2015
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000357978500045