Piezoelectric response of AlGaN/GaN based circular-HEMT structures

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F10%3A00174172" target="_blank" >RIV/68407700:21230/10:00174172 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.mne2010.org" target="_blank" >http://www.mne2010.org</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Piezoelectric response of AlGaN/GaN based circular-HEMT structures
Popis výsledku v původním jazyce
In this work we have proposed for the first time a circular-HEMT (C-HEMT) device for external pressure and stress sensing. There are some advantages of this structure comparing to that of the conventional rectangular HEMT. First of all there is no ""MESA""- etching step needed to define C-HEMT, so the continuity of the top AlGaN barrier layer is not broken and therefore, no partial relaxation of the applied bending stress is there observed.
Název v anglickém jazyce
Piezoelectric response of AlGaN/GaN based circular-HEMT structures
Popis výsledku anglicky
In this work we have proposed for the first time a circular-HEMT (C-HEMT) device for external pressure and stress sensing. There are some advantages of this structure comparing to that of the conventional rectangular HEMT. First of all there is no ""MESA""- etching step needed to define C-HEMT, so the continuity of the top AlGaN barrier layer is not broken and therefore, no partial relaxation of the applied bending stress is there observed.

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)