Piezoelectric response of AlGaN/GaN-based circular-HEMT structures

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F11%3A00186058" target="_blank" >RIV/68407700:21230/11:00186058 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2010.12.013" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2010.12.013</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2010.12.013" target="_blank" >10.1016/j.mee.2010.12.013</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Piezoelectric response of AlGaN/GaN-based circular-HEMT structures

Popis výsledku v původním jazyce

This papers reports, for the first time, on a piezoelectric response investigation of AlGaN/GaN-based circular high electron mobility transistor (C-HEMT) structures, which can be potentially applied in new devices for dynamic pressure and stress sensing.We present the processing technology and a piezoelectric performance analysis of the C-HEMT devices. The analysis obtained experimentally is compared with the results of electro-mechanical simulation. The measurements and simulations revealed a good linearity in the piezoelectric response and excellent stress detection sensitivity that is independent from the frequency range measured.

Název v anglickém jazyce

Piezoelectric response of AlGaN/GaN-based circular-HEMT structures

Popis výsledku anglicky

This papers reports, for the first time, on a piezoelectric response investigation of AlGaN/GaN-based circular high electron mobility transistor (C-HEMT) structures, which can be potentially applied in new devices for dynamic pressure and stress sensing.We present the processing technology and a piezoelectric performance analysis of the C-HEMT devices. The analysis obtained experimentally is compared with the results of electro-mechanical simulation. The measurements and simulations revealed a good linearity in the piezoelectric response and excellent stress detection sensitivity that is independent from the frequency range measured.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F09%2F1601" target="_blank" >GA102/09/1601: Inteligentní mikro a nano struktury pro mikrosenzory realizované s využitím nanotechnologií</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Microelectronic Engineering

ISSN

0167-9317

e-ISSN

—

Svazek periodika

88

Číslo periodika v rámci svazku

8

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

2424-2426

Kód UT WoS článku

000293663400196

EID výsledku v databázi Scopus

—