Impact of ZnO gate interfacial layer on piezoelectric response of AlGaN/GaN C-HEMT based ring gate capacitor

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F11%3A00186056" target="_blank" >RIV/68407700:21230/11:00186056 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.sna.2011.09.028" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.sna.2011.09.028</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.sna.2011.09.028" target="_blank" >10.1016/j.sna.2011.09.028</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Impact of ZnO gate interfacial layer on piezoelectric response of AlGaN/GaN C-HEMT based ring gate capacitor

Popis výsledku v původním jazyce

We report on a piezoelectric response investigation of AlGaN/GaN circular high electron mobility transistor (C-HEMT) based ring gate capacitor as a new stress sensor device to be potentially applied for dynamic high-pressure sensing. A ring gate capacitor of C-HEMT with an additional ZnO gate interfacial layer was used to measure the changes in the piezoelectric charge induced directly by the variation of piezoelectric polarization of both gate piezoelectric layers (AlGaN, ZnO) for harmonic loading at different excitation frequences. Our experimental results show that about 10 nm thick piezoelectric ZnO layer grown on ring gate/AlGaN interface of C-HEMT can yield almost a 60% increase in the piezoelectric detection sensitivity of the device due to itshigher piezoelectric coefficient.

Název v anglickém jazyce

Impact of ZnO gate interfacial layer on piezoelectric response of AlGaN/GaN C-HEMT based ring gate capacitor

Popis výsledku anglicky

We report on a piezoelectric response investigation of AlGaN/GaN circular high electron mobility transistor (C-HEMT) based ring gate capacitor as a new stress sensor device to be potentially applied for dynamic high-pressure sensing. A ring gate capacitor of C-HEMT with an additional ZnO gate interfacial layer was used to measure the changes in the piezoelectric charge induced directly by the variation of piezoelectric polarization of both gate piezoelectric layers (AlGaN, ZnO) for harmonic loading at different excitation frequences. Our experimental results show that about 10 nm thick piezoelectric ZnO layer grown on ring gate/AlGaN interface of C-HEMT can yield almost a 60% increase in the piezoelectric detection sensitivity of the device due to itshigher piezoelectric coefficient.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Sensors and Actuators

ISSN

0924-4247

e-ISSN

—

Svazek periodika

2011

Číslo periodika v rámci svazku

172

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

386-391

Kód UT WoS článku

000300026600005

EID výsledku v databázi Scopus

—