Ověřená technologie výroby epitaxních struktur GaN/Si pro HEMT

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F17%3AN0000005" target="_blank" >RIV/26821532:_____/17:N0000005 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Ověřená technologie výroby epitaxních struktur GaN/Si pro HEMT
Popis výsledku v původním jazyce
Ověřená technologie MOCVD pro heteroepitaxní struktury s použitím supermřížkové vyrovnávací vrstevnaté struktury. Uvedená heteroepitaxní struktura splňuje všechny požadavky pro výrobu „depletion mode“ HEMT součástky s provozním napětím 650V s velmi vysokou výtěžností > 90% a světově konkurenceschopnou cenou substrátové desky.
Název v anglickém jazyce
Qualified technology for manufacturing of heteroepitaxial structures of GaN/Si for HEMT
Popis výsledku anglicky
Qualified MOCVD technology for heteroepitaxial structures using a super-lattices layered structure. This heteroepitaxial structure meets all the requirements for the "depletion mode" of HEMT devices with a 650V operating voltage with a very high yield> 90% and a globally competitive price for the substrate wafers.

Projekt
<a href="/cs/project/TH01011284" target="_blank" >TH01011284: Nové polovodičové materiály a součástky s velkou šířkou zakázaného pásu</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
331-3042
Číselná identifikace
TH01011284-V14
Technické parametry
Ověřená technologie MOCVD pro heteroepitaxní struktury s použitím supermřížkové vyrovnávací vrstevnaté struktury. Uvedená heteroepitaxní struktura splňuje všechny požadavky pro výrobu „depletion mode“ HEMT součástky s provozním napětím 650V s velmi vysokou výtěžností > 90% a konkurenceschopnou cenou substrátové desky < 400 USD. Ověřená technologie je podložena řízenou dokumentací, která zahrnuje pracovní postupy, popis obsluhy a údržby zařízení (reaktoru, žíhací pece a měřících zařízení), specifikace médií (především NH3, TMGa, TMAl, H2, N2), pomocných zařízení a přípravků (asanátorů, vývěv, dočišťovačů) a vstupních materiálů (substrátů a susceptorů). Pro novou technologii jsou alokovány samostatné prostory a bylo zřízeno samostatné nákladové středisko 331-3014.
Ekonomické parametry
Kapacita 10 desek/den (Veeco k465i), výrobní cena < 1000 USD/deska. Výsledek uplatněn pro vlastní výrobu řešitele.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Požadavek na licenční poplatek
—
Adresa www stránky s výsledkem
—

Podobné výsledky(10)