Využití určení teploty substrátu ke studiu náhodných parametrů ovlivňujících MOVPE růst nitridů třetí podskupiny

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F05%3A00013611" target="_blank" >RIV/60461373:22310/05:00013611 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Use of wafer temperature determination for the study of unintentional parameter influences for the MOVPE of III-nitrides
Popis výsledku v původním jazyce
In this paper we will first report on the real-time determination of wafer temperature during growth for transparent substrates. With this method we will then study the unintentional influence of growth parameter variations on the surface temperature. The effect on nitride growth optimization will be discussed.
Název v anglickém jazyce
Use of wafer temperature determination for the study of unintentional parameter influences for the MOVPE of III-nitrides
Popis výsledku anglicky
In this paper we will first report on the real-time determination of wafer temperature during growth for transparent substrates. With this method we will then study the unintentional influence of growth parameter variations on the surface temperature. The effect on nitride growth optimization will be discussed.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GA104%2F03%2F0387" target="_blank" >GA104/03/0387: Chemické aspekty přípravy tenkých vrstev nitridů 3. podskupiny ve vztahu k aplikacím v elektronice</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)