Změny teploty substrátu během růstu GaMnAs technologií molekulární svazkové epitaxe

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F07%3A00093079" target="_blank" >RIV/68378271:_____/07:00093079 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Substrate temperature changes during molecular beam epitaxy growth of GaMnAs
Popis výsledku v původním jazyce
increase of the substrate temperature during the low-temperature MBE growth of GaMnAs layers. With the help of numerical simulations we explain the effect as a consequence of changing absorption/emission characteristics of the growing epilayer. We discuss possibilities for reducing the substrate temperature variations during the growth
Název v anglickém jazyce
Substrate temperature changes during molecular beam epitaxy growth of GaMnAs
Popis výsledku anglicky
increase of the substrate temperature during the low-temperature MBE growth of GaMnAs layers. With the help of numerical simulations we explain the effect as a consequence of changing absorption/emission characteristics of the growing epilayer. We discuss possibilities for reducing the substrate temperature variations during the growth

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)