SiC deska pro MOSFET aplikace (leštěná)

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F23%3AN0000003" target="_blank" >RIV/26821532:_____/23:N0000003 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.onsemi.com" target="_blank" >http://www.onsemi.com</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
SiC deska pro MOSFET aplikace (leštěná)
Popis výsledku v původním jazyce
SiC desky pro MOSFET (leštěná deska): Funkční vzorky jsou přímo spojeny s ověřením výše uvedených technologií Jedná se o širokou skupinu vzorků ve specifikacích pro různá napětí (z pohledu epitaxní vrstvy), které ale reálně představují 2 principiální úrovně funkčních vzorků: Leštěná SiC deska vyrobená s vlastním SiC krystalem a SiC deska vyrobená s externím SiC krystalem.
Název v anglickém jazyce
SiC wafer for MOSFET application (polished)
Popis výsledku anglicky
SiC wafers for MOSFETs (polished board): Demo samples are directly linked to the verification of the new manufacturing technologies. This is a wide group of samples in specifications for different voltages (from the point of view of the epitaxial layer), but in reality they represent 2 principle levels of functional samples: Polished SiC wafers made with its own SiC crystal and a SiC wafers made with an external SiC crystal.

Projekt
<a href="/cs/project/EG20_321%2F0024782" target="_blank" >EG20_321/0024782: Výzkum a vývoj technologií výroby SiC krystalů a desek pro pokročilé elektronické aplikace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu
SIC6S006, 52AON19829H
Číselná identifikace
3313034006
Technické parametry
SiC desky pro MOSFET (leštěná deska): Funkční vzorky jsou přímo spojeny s ověřením výše uvedených technologií Jedná se o širokou skupinu vzorků ve specifikacích pro různá napětí (z pohledu epitaxní vrstvy), které ale reálně představují 2 principiální úrovně funkčních vzorků: Leštěná SiC deska vyrobená s vlastním SiC krystalem a SiC deska vyrobená s externím SiC krystalem. Detailní popis výsledku: skupina specifikaci 150 mm SiC desky pro MOSFET aplikace SIC6S006/52AON######H (řízená dokumentace, která podléhá obchodnímu tajemství).
Ekonomické parametry
Jednotková cena leštěné SiC desky <900USD.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Požadavek na licenční poplatek
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
www.onsemi.com

Podobné výsledky(10)