SiC deska pro MOSFET aplikace (epitaxní)
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F23%3AN0000004" target="_blank" >RIV/26821532:_____/23:N0000004 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.onsemi.com" target="_blank" >http://www.onsemi.com</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
SiC deska pro MOSFET aplikace (epitaxní)
Popis výsledku v původním jazyce
SiC desky pro MOSFET (epitaxní): Funkční vzorky jsou přímo spojeny s ověřením výše uvedených technologií Jedná se o širokou skupinu vzorků ve specifikacích pro různá napětí (z pohledu epitaxní vrstvy). Deska s epitaxní vrstvou představuje ve srovnání s deskou leštěnou vyšší kvalitativní úroveň.
Název v anglickém jazyce
SiC wafer for MOSFET application (epitaxial)
Popis výsledku anglicky
SiC wafers for MOSFETs (epitaxial): Functional samples are directly related to the verification of the above technologies This is a wide group of samples in specifications for different voltages (from the perspective of the epitaxial layer). A wafer with an epitaxial layer represents a higher quality level compared to a polished wafer.
Klasifikace
Druh
G<sub>funk</sub> - Funkční vzorek
CEP obor
—
OECD FORD obor
20201 - Electrical and electronic engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/EG20_321%2F0024782" target="_blank" >EG20_321/0024782: Výzkum a vývoj technologií výroby SiC krystalů a desek pro pokročilé elektronické aplikace</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Údaje specifické pro druh výsledku
Interní identifikační kód produktu
6SMPE120XAXX-EPI
Číselná identifikace
3313057
Technické parametry
SiC desky pro MOSFET (epitaxní): Funkční vzorky jsou přímo spojeny s ověřením výše uvedených technologií Jedná se o širokou skupinu vzorků ve specifikacích pro různá napětí (z pohledu epitaxní vrstvy). Deska s epitaxní vrstvou představuje ve srovnání s deskou leštěnou vyšší kvalitativní úroveň. Detailní popis výsledku: skupina specifikaci 150 mm SiC desky pro MOSFET aplikace 6SMPE120XAXX-EPI SiC Epitaxial Wafers (řízená dokumentace, která podléhá obchodnímu tajemství).
Ekonomické parametry
Jednotková výrobní cena SiC desky s epitaxní vrstvou <1300 USD.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
26821532
Název vlastníka
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Požadavek na licenční poplatek
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
www.onsemi.com