Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Zařízení k nanášení ultratenkých vrstev

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F13%3APA21039" target="_blank" >RIV/00216305:26210/13:PA21039 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Zařízení k nanášení ultratenkých vrstev

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Ion-atomový zdroj s optimalizovanou tvorbou iontů pro depozici s asistencí iontů (IBAD) v podmínkách ultravysokého vakua (UHV). Vynález je kombinací efusní cely a elektron srážkového iontového zdroje poskytující iontové svazky o ultranízkých energiích v rozmezí od 30 eV až 200 eV. Snížení energie iontového svazku na hypertermní hodnoty (cca 10 eV) je realizováno bez ztráty optimálních ionizační podmínek. Toto je dosaženo především začleněním ionizační komory s mřížkou, která je dostatečně transparentní pro elektrony a ionty. Zdrojem jsou připravovány ultratenké vrstevy a nanostruktury s asistencí iontů o ultranízkých energiích s rychlostí růstu několika monovrstev za hodinu.

  • Název v anglickém jazyce

    Devices for applying ultra-thin layers

  • Popis výsledku anglicky

    The ion-atomic beam source with an optimized generation of ions for ion-beam-assisted deposition (IBAD) under ultra-high vacuum (UHV) conditions. The source combines an effusion cell and electron impact ion source and produces ion beams with ultra-low energies in the range from 30 eV to 200 eV. Decreasing ion beam energy to hyperthermal values (about 10 eV) without loosing optimum ionization conditions has been mainly achieved by the incorporation of an ionization chamber with a grid transparent enough for electron and ion beams. In this way, the energy and current density of nitrogen ion beams in the order of 10 eV and 100 nA/cm2, respectively, have been achieved. The source is capable of the growth of ultrathin layers or nanostructures at ultra-low energies with a growth rate of several MLs/hour.

Klasifikace

  • Druh

    P - Patent

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/TE01020233" target="_blank" >TE01020233: Platforma pokročilých mikroskopických a spektroskopických technik pro nano a mikrotechnologie</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Číslo patentu nebo vzoru

    303867

  • Vydavatel

    CZ001 -

  • Název vydavatele

    Industrial Property Office

  • Místo vydání

    Prague

  • Stát vydání

    CZ - Česká republika

  • Datum přijetí

    24. 4. 2013

  • Název vlastníka

    Vut Brno

  • Způsob využití

    A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

  • Druh možnosti využití

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence