Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

The Čerenkov limit of Si, GaAs and GaP in electron energy loss spectrometry

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F15%3APU114597" target="_blank" >RIV/00216305:26210/15:PU114597 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.ultramic.2015.06.005" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.ultramic.2015.06.005</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.ultramic.2015.06.005" target="_blank" >10.1016/j.ultramic.2015.06.005</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    The Čerenkov limit of Si, GaAs and GaP in electron energy loss spectrometry

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Since the advent of monochromated electron energy loss spectrometry (EELS) the experimental detection of band gaps in semiconducting materials is of great importance. In the non-relativistic limit of this technique the onset of the inelastic signal represents the band gap. But due to relativistic energy losses, like Čerenkov losses and the corresponding light guiding modes, appearing at high beam energies the band gap is usually hidden. The highest beam energy, which does not excite relativistic losses in a certain material, is called the Čerenkov limit of the material. In this work the low loss EELS signals of Si, GaAs and GaP are measured at various beam energies and the calculated Čerenkov limits are experimentally confirmed.

  • Název v anglickém jazyce

    The Čerenkov limit of Si, GaAs and GaP in electron energy loss spectrometry

  • Popis výsledku anglicky

    Since the advent of monochromated electron energy loss spectrometry (EELS) the experimental detection of band gaps in semiconducting materials is of great importance. In the non-relativistic limit of this technique the onset of the inelastic signal represents the band gap. But due to relativistic energy losses, like Čerenkov losses and the corresponding light guiding modes, appearing at high beam energies the band gap is usually hidden. The highest beam energy, which does not excite relativistic losses in a certain material, is called the Čerenkov limit of the material. In this work the low loss EELS signals of Si, GaAs and GaP are measured at various beam energies and the calculated Čerenkov limits are experimentally confirmed.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Ultramicroscopy

  • ISSN

    0304-3991

  • e-ISSN

    1879-2723

  • Svazek periodika

    157

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    73-78

  • Kód UT WoS článku

    000361002400009

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-84934902773