Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Landau level spectroscopy of Bi2Te3

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F20%3APU139666" target="_blank" >RIV/00216305:26210/20:PU139666 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.102.085201" target="_blank" >https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.102.085201</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.102.085201" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.102.085201</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Landau level spectroscopy of Bi2Te3

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Here we report on Landau level spectroscopy in magnetic fields up to 34 T performed on a thin film of the topological insulator Bi2Te3 epitaxially grown on a BaF2 substrate. The observed response is consistent with the picture of a direct-gap semiconductor in which charge carriers closely resemble massive Dirac particles. The fundamental band gap reaches E-g = (175 +/- 5) meV at low temperatures and it is not located on the trigonal axis, thus displaying either sixfold or twelvefold valley degeneracy. Interestingly, our magneto-optical data do not indicate any band inversion at the direct gap. This suggests that the fundamental band gap is relatively distant from the Gamma point where profound inversion exists and gives rise to the relativisticlike surface states of Bi2Te3.

  • Název v anglickém jazyce

    Landau level spectroscopy of Bi2Te3

  • Popis výsledku anglicky

    Here we report on Landau level spectroscopy in magnetic fields up to 34 T performed on a thin film of the topological insulator Bi2Te3 epitaxially grown on a BaF2 substrate. The observed response is consistent with the picture of a direct-gap semiconductor in which charge carriers closely resemble massive Dirac particles. The fundamental band gap reaches E-g = (175 +/- 5) meV at low temperatures and it is not located on the trigonal axis, thus displaying either sixfold or twelvefold valley degeneracy. Interestingly, our magneto-optical data do not indicate any band inversion at the direct gap. This suggests that the fundamental band gap is relatively distant from the Gamma point where profound inversion exists and gives rise to the relativisticlike surface states of Bi2Te3.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20501 - Materials engineering

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2020

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physical Review B

  • ISSN

    1095-3795

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    102

  • Číslo periodika v rámci svazku

    8

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    11

  • Strana od-do

    „085201-1“-„085201-11“

  • Kód UT WoS článku

    000557296200005

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85092173350