Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

A simplified local surface photoreflectance measurement

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F01%3APU22600" target="_blank" >RIV/00216305:26220/01:PU22600 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    A simplified local surface photoreflectance measurement

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A simple and economical photoreflectance measurement that can easily be adapted to conventional scanning optical microscopes is presented. In this design, the laser source is sine-wave modulated so that the second harmonic modulation distorsion within the optical probe beam before and after reflection off the sample surface can be monitored. The desired photoreflectance measurement, which is taken as the change of reflectance as a result of varying the incident optical power, is then obtained from the cchange in the ration of the fundamental and second-harmonic signals. The set-up and technique by measuring the implantation damage in nitrogen-implanted silicon samples is demonstrated.

  • Název v anglickém jazyce

    A simplified local surface photoreflectance measurement

  • Popis výsledku anglicky

    A simple and economical photoreflectance measurement that can easily be adapted to conventional scanning optical microscopes is presented. In this design, the laser source is sine-wave modulated so that the second harmonic modulation distorsion within the optical probe beam before and after reflection off the sample surface can be monitored. The desired photoreflectance measurement, which is taken as the change of reflectance as a result of varying the incident optical power, is then obtained from the cchange in the ration of the fundamental and second-harmonic signals. The set-up and technique by measuring the implantation damage in nitrogen-implanted silicon samples is demonstrated.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BH - Optika, masery a lasery

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/OC%20523.40" target="_blank" >OC 523.40: Nanostruktury: Optické a elektrické charakteristiky</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2001

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of Materials structure and micromechanics fracture

  • ISBN

    80-214-1892-3

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    439-444

  • Název nakladatele

    VUTIUM

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    27. 6. 2001

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku