Local optical characteristics of semiconductor surfaces

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F02%3APU27220" target="_blank" >RIV/00216305:26220/02:PU27220 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Local optical characteristics of semiconductor surfaces

Popis výsledku v původním jazyce

Photoluminescence (PL), photoreflectance (PR) and photocurrent (PC) spectroscopic techniques have demonstrated to be helpful experimental methods to investigate the properties of bulk semiconductors, microstructures, surfaces and interfaces. We present near-field local PL, PR and PC spectroscopic study of semiconductor quantum structures using a technique of reflection Scanning Near-field Optical Microscope (SNOM) in combination with Nitrogen laser and tuning dye laser and with He-Ne laser. RefleectionScanning Near-field Optical Microscope (SNOM) employs an uncoated and/or Au-metallized single-mode fiber tip both as nanosource and a nanoprobe. In the illumination-collection hybrid mode, the first one serves to excite the semiconductor sample and the second one to investigate characteristics of the structure and to pick up the PL and PR intensity reflected from the sample. In the illumination mode, the nanosource illuminates locally the semiconductor structure, and excites the photoele

Název v anglickém jazyce

Local optical characteristics of semiconductor surfaces

Popis výsledku anglicky

Photoluminescence (PL), photoreflectance (PR) and photocurrent (PC) spectroscopic techniques have demonstrated to be helpful experimental methods to investigate the properties of bulk semiconductors, microstructures, surfaces and interfaces. We present near-field local PL, PR and PC spectroscopic study of semiconductor quantum structures using a technique of reflection Scanning Near-field Optical Microscope (SNOM) in combination with Nitrogen laser and tuning dye laser and with He-Ne laser. RefleectionScanning Near-field Optical Microscope (SNOM) employs an uncoated and/or Au-metallized single-mode fiber tip both as nanosource and a nanoprobe. In the illumination-collection hybrid mode, the first one serves to excite the semiconductor sample and the second one to investigate characteristics of the structure and to pick up the PL and PR intensity reflected from the sample. In the illumination mode, the nanosource illuminates locally the semiconductor structure, and excites the photoele

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/OC%20523.40" target="_blank" >OC 523.40: Nanostruktury: Optické a elektrické charakteristiky</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2002

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Proceedings of SPIE

ISSN

0277-786X

e-ISSN

—

Svazek periodika

4607

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

168-177

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—