Measurement of local photoluminescence and optically induced photocurrent in semiconductor structures

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F02%3APU28924" target="_blank" >RIV/00216305:26220/02:PU28924 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Measurement of local photoluminescence and optically induced photocurrent in semiconductor structures

Popis výsledku v původním jazyce

Near-field local Photoluminescence (PL) and photocurrent (PC) spectroscopic techniques are used to study of semiconductor quantum structures using a technique of reflection Scanning Near-field Optical Microscope (r-SNOM) in combination with Nitrogen laser and tuning dye laser. r-SNOM employs an uncoated and/or Au-metallized single-mode fiber tip both as nanosource and a nanoprobe. Due to the high lateral resolution of the microscope, it is possible to locate e.g. defects in a multiple quantum well grownn by molecular beam epitaxy. Near-field characteristics of measured quantities are also discussed.

Název v anglickém jazyce

Measurement of local photoluminescence and optically induced photocurrent in semiconductor structures

Popis výsledku anglicky

Near-field local Photoluminescence (PL) and photocurrent (PC) spectroscopic techniques are used to study of semiconductor quantum structures using a technique of reflection Scanning Near-field Optical Microscope (r-SNOM) in combination with Nitrogen laser and tuning dye laser. r-SNOM employs an uncoated and/or Au-metallized single-mode fiber tip both as nanosource and a nanoprobe. Due to the high lateral resolution of the microscope, it is possible to locate e.g. defects in a multiple quantum well grownn by molecular beam epitaxy. Near-field characteristics of measured quantities are also discussed.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/OC%20523.40" target="_blank" >OC 523.40: Nanostruktury: Optické a elektrické charakteristiky</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2002

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Photonics Prague 2002

ISBN

80-86114-46-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

1

Strana od-do

146-146

Název nakladatele

Tech-Market,Praha

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

26. 5. 2002

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—