Local measurement of optically induced photocurrent in semiconductor structures

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F02%3APU29105" target="_blank" >RIV/00216305:26220/02:PU29105 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Local measurement of optically induced photocurrent in semiconductor structures

Popis výsledku v původním jazyce

Photocurrent (PC) spectroscopic techniques have demonstrated to be helpful experimental method to investigate the local properties of bulk semiconductors, microstructures, surfaces and interfaces. We have measured locally induced PC of semiconductor quantum structures using a technique of reflection Scanning Near-field Optical Microscope (r-SNOM) in combination with Ti:Sapphire laser and tuning dye laser and with He-Ne laser. The r-SNOM employs an uncoated and/or Au-metalized single-mode fiber tip bothin illumination and collection mode. Taking opportunity of the high lateral resolution of the microscope and combining it with fast micro-PL, it is possible to locate e.g. defects in a multiple quantum well grown by molecular beam epitaxy. Near-field characteristics of measured quantities are also discussed.

Název v anglickém jazyce

Local measurement of optically induced photocurrent in semiconductor structures

Popis výsledku anglicky

Photocurrent (PC) spectroscopic techniques have demonstrated to be helpful experimental method to investigate the local properties of bulk semiconductors, microstructures, surfaces and interfaces. We have measured locally induced PC of semiconductor quantum structures using a technique of reflection Scanning Near-field Optical Microscope (r-SNOM) in combination with Ti:Sapphire laser and tuning dye laser and with He-Ne laser. The r-SNOM employs an uncoated and/or Au-metalized single-mode fiber tip bothin illumination and collection mode. Taking opportunity of the high lateral resolution of the microscope and combining it with fast micro-PL, it is possible to locate e.g. defects in a multiple quantum well grown by molecular beam epitaxy. Near-field characteristics of measured quantities are also discussed.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2002

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Proceedings of SPIE

ISSN

0277-786X

e-ISSN

—

Svazek periodika

4096

Číslo periodika v rámci svazku

4096

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

630-634

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—