Correlated NMOS Statistical Model

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F01%3APU24827" target="_blank" >RIV/00216305:26220/01:PU24827 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Correlated NMOS Statistical Model
Popis výsledku v původním jazyce
Monte-Carlo analysis of MOS circuits requires the generation of multiple sets of input parameters for the simulator's models. Since the model parameters can be highly correlated, the methods by which these input parameters are determined is critical foraccurate results. The paper briefly reviews the principal techniques for the generation of MOSFET correlated model parameters and gives an example of statistical characterization of MOS2 model parameter VFB ? flat band voltage which is used as an indeependent statistical model parameter. The comparison of correlated and uncorrelated models is presented.
Název v anglickém jazyce
Correlated NMOS Statistical Model
Popis výsledku anglicky
Monte-Carlo analysis of MOS circuits requires the generation of multiple sets of input parameters for the simulator's models. Since the model parameters can be highly correlated, the methods by which these input parameters are determined is critical foraccurate results. The paper briefly reviews the principal techniques for the generation of MOSFET correlated model parameters and gives an example of statistical characterization of MOS2 model parameter VFB ? flat band voltage which is used as an indeependent statistical model parameter. The comparison of correlated and uncorrelated models is presented.

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F00%2F0939" target="_blank" >GA102/00/0939: Integrované inteligentní mikrosenzory a mikrosystémy</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2001
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Socrates Workshop 2001. Intensive Training Programme in Electronic System Design. Proceedings, Crete 3 - 12, 2001. Edited by V. Musil and J. Brzobohaty
ISBN
80-214-2027-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
282-289
Název nakladatele
Vyd. Ing. Zdeněk Novotný, Brno, 2001
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Chania, Crete, Greece
Datum konání akce
3. 9. 2001
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)