SiGe Technology
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F01%3APU25189" target="_blank" >RIV/00216305:26220/01:PU25189 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
SiGe Technology
Popis výsledku v původním jazyce
This paper reviews the recent progress in both SiGe heterojunction bipolar (HBT) technology and SiGe field effect transistor (FET) technology.
Název v anglickém jazyce
SiGe Technology
Popis výsledku anglicky
This paper reviews the recent progress in both SiGe heterojunction bipolar (HBT) technology and SiGe field effect transistor (FET) technology.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F00%2F0939" target="_blank" >GA102/00/0939: Integrované inteligentní mikrosenzory a mikrosystémy</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2001
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Socrates Workshop 2001. Intensive Training Programme in Electronic System Design. Proceedings
ISBN
80-214-2027-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
15
Strana od-do
302-316
Název nakladatele
Ing. Zdeněk Novotný, CSc.
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Chania, Crete, Greece
Datum konání akce
3. 9. 2001
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—