MOSFET Modeling for Curcuit Simulations

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F02%3APU29227" target="_blank" >RIV/00216305:26220/02:PU29227 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
MOSFET Modeling for Curcuit Simulations
Popis výsledku v původním jazyce
In this paper an overview of MOSFET modeling circuit simulation is presented. After discussing some of the implications of analog and low-power applications, the history of the MOS models comonly used in SPICE-like circuit simulators is presented, followed by a discussion of the evolution of strategies for modeling the geometry dependence of MOSFET characteristics. The growth of complexity and requirements for future MOS models are also considered.
Název v anglickém jazyce
MOSFET Modeling for Curcuit Simulations
Popis výsledku anglicky
In this paper an overview of MOSFET modeling circuit simulation is presented. After discussing some of the implications of analog and low-power applications, the history of the MOS models comonly used in SPICE-like circuit simulators is presented, followed by a discussion of the evolution of strategies for modeling the geometry dependence of MOSFET characteristics. The growth of complexity and requirements for future MOS models are also considered.

Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)