Řídicí obvody pro tranzistory MOSFET a IGBT

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU46918" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU46918 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Driving circuits for power transistors MOSFET and IGBT

Popis výsledku v původním jazyce

The present state and development trends in the field of drivers for power transistors MOSFET and IGBT are described in this article. The technology SMART-POWER-DEVICES is discussed. An attention is paid to the principle block schema of the driver including electronic protections. Especially the saturation protection and the galvanic separation of the switching signal is solved.

Název v anglickém jazyce

Driving circuits for power transistors MOSFET and IGBT

Popis výsledku anglicky

The present state and development trends in the field of drivers for power transistors MOSFET and IGBT are described in this article. The technology SMART-POWER-DEVICES is discussed. An attention is paid to the principle block schema of the driver including electronic protections. Especially the saturation protection and the galvanic separation of the switching signal is solved.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

ElectronicsLetters.com - http://www.electronicsletters.com

ISSN

1213-161X

e-ISSN

—

Svazek periodika

2004

Číslo periodika v rámci svazku

1/7

Stát vydavatele periodika

CZ - Česká republika

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

20-27

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—