Studium dynamiky nosičů kvantových tečkách InAs/GaAs na vrstvách InGaAs pomocí blízkého pole

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU47100" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU47100 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Near-field study of carrier dynamics in InAs/GaAs quantum dots grown on InGaAs layers

Popis výsledku v původním jazyce

InAs/GaAs quantum dots (QDs) with ordered structure, due to their peculiar properties, open new way to design novel semiconductor devices such as single-electron transistors or highly parallel computing architectures. The lateral quantum dot alignment achieved during the self-assembly process is not well understood heretofore. The reason is, that quantum structures are usually small and studied at low temperatures. Conversely, the Scanning near-field optical microscopy (SNOM) allows study nanometer detaails in the non-offensive manner, in the room temperature with high spatial and temporal resolution. The first results of near-field optical study on aligned QDs are presented.

Název v anglickém jazyce

Near-field study of carrier dynamics in InAs/GaAs quantum dots grown on InGaAs layers

Popis výsledku anglicky

InAs/GaAs quantum dots (QDs) with ordered structure, due to their peculiar properties, open new way to design novel semiconductor devices such as single-electron transistors or highly parallel computing architectures. The lateral quantum dot alignment achieved during the self-assembly process is not well understood heretofore. The reason is, that quantum structures are usually small and studied at low temperatures. Conversely, the Scanning near-field optical microscopy (SNOM) allows study nanometer detaails in the non-offensive manner, in the room temperature with high spatial and temporal resolution. The first results of near-field optical study on aligned QDs are presented.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ME%20544" target="_blank" >ME 544: Polovodiče - lokální optické a elektrické vlastnosti</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Materials Science Forum

ISSN

0255-5476

e-ISSN

—

Svazek periodika

482

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

151-154

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—