On the importance of antimony for temporal evolution of emission from self-assembled (InGa)(AsSb)/GaAs quantum dots on GaP(001)
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00177016%3A_____%2F21%3AN0000066" target="_blank" >RIV/00177016:_____/21:N0000066 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00177016:_____/21:N0000075 RIV/00216224:14310/21:00122511
Výsledek na webu
<a href="https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1367-2630/ac2bd6" target="_blank" >https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1367-2630/ac2bd6</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/ac2bd6" target="_blank" >10.1088/1367-2630/ac2bd6</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
On the importance of antimony for temporal evolution of emission from self-assembled (InGa)(AsSb)/GaAs quantum dots on GaP(001)
Popis výsledku v původním jazyce
Understanding the carrier dynamics of nanostructures is the key for development and optimization of novel semiconductor nano-devices. Here, we study the optical properties and carrier dynamics of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots (QDs) by means of non-resonant energy and time-resolved photoluminescence depending on temperature. Studying this material system is fundamental in view of the ongoing implementation of such QDs for nano memory devices. The structures studied in this work include a single QD layer, QDs overgrown by a GaSb capping layer, and solely a GaAs quantum well, respectively.
Název v anglickém jazyce
On the importance of antimony for temporal evolution of emission from self-assembled (InGa)(AsSb)/GaAs quantum dots on GaP(001)
Popis výsledku anglicky
Understanding the carrier dynamics of nanostructures is the key for development and optimization of novel semiconductor nano-devices. Here, we study the optical properties and carrier dynamics of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots (QDs) by means of non-resonant energy and time-resolved photoluminescence depending on temperature. Studying this material system is fundamental in view of the ongoing implementation of such QDs for nano memory devices. The structures studied in this work include a single QD layer, QDs overgrown by a GaSb capping layer, and solely a GaAs quantum well, respectively.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10303 - Particles and field physics
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
New Journal of Physics
ISSN
1367-2630
e-ISSN
1367-2630
Svazek periodika
23
Číslo periodika v rámci svazku
10
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
17
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000711655400001
EID výsledku v databázi Scopus
—