Teplotní závislost laseru

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU47979" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU47979 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Temperature dependency of semiconducotr laser
Popis výsledku v původním jazyce
This article is focused on an examination of degradation dependency of a semiconductor laser on a temperature of an LD package. Thermal conditions influence an emitter optical power, spectral component, which is emitted by the laser, electrical to optical power conversion efficiency and many others parameters. The criticality of the parasitic parameters is evaluated in this paper. These parasitic parameters must be considered carefully to eliminate them efficiently.
Název v anglickém jazyce
Temperature dependency of semiconducotr laser
Popis výsledku anglicky
This article is focused on an examination of degradation dependency of a semiconductor laser on a temperature of an LD package. Thermal conditions influence an emitter optical power, spectral component, which is emitted by the laser, electrical to optical power conversion efficiency and many others parameters. The criticality of the parasitic parameters is evaluated in this paper. These parasitic parameters must be considered carefully to eliminate them efficiently.

Projekt
<a href="/cs/project/GD102%2F03%2FH105" target="_blank" >GD102/03/H105: Moderní metody řešení, návrhu a aplikace elektronických obvodů</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)