Vliv nábojů na transportní vlastnosti tenkovrstvých EL součástek
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU50418" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU50418 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Influence of charged centers on transport properties of thin film electroluminescent devices
Popis výsledku v původním jazyce
Thin film electroluminescent devices (TFELD) have become of great interest since they offer a possible means of achieving a high-resolution, light-weight, compact video display panel for computer terminals or television screens [1].The realization of a full colour TFELD represented a problem due to the poor luminance of blue emission. To overcome this problem, the mechanism of electroluminescence (EL) should be investigated in detail to find out the way to improve the device properties. The basic mechannism of electroluminescence is based on high-field acceleration of electrons to optical energies at which luminescent centers, intentionally introduced into the host material, could be impact excited. So, the transport process of electrons under an electric field is the key process since it determines the electrons energy. This process is the result of interaction between the acceleration of electrons by the electric field and the scattering of electrons by some kinds of scattering mecha
Název v anglickém jazyce
Influence of charged centers on transport properties of thin film electroluminescent devices
Popis výsledku anglicky
Thin film electroluminescent devices (TFELD) have become of great interest since they offer a possible means of achieving a high-resolution, light-weight, compact video display panel for computer terminals or television screens [1].The realization of a full colour TFELD represented a problem due to the poor luminance of blue emission. To overcome this problem, the mechanism of electroluminescence (EL) should be investigated in detail to find out the way to improve the device properties. The basic mechannism of electroluminescence is based on high-field acceleration of electrons to optical energies at which luminescent centers, intentionally introduced into the host material, could be impact excited. So, the transport process of electrons under an electric field is the key process since it determines the electrons energy. This process is the result of interaction between the acceleration of electrons by the electric field and the scattering of electrons by some kinds of scattering mecha
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Photonics Prague 2005
ISBN
80-86742-08-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
145-146
Název nakladatele
Zeithamlová Milena, Ing. - Agentura Action M
Místo vydání
Prague
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
8. 6. 2005
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—