Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Vliv nábojů na transportní vlastnosti tenkovrstvých EL součástek

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU50418" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU50418 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Influence of charged centers on transport properties of thin film electroluminescent devices

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Thin film electroluminescent devices (TFELD) have become of great interest since they offer a possible means of achieving a high-resolution, light-weight, compact video display panel for computer terminals or television screens [1].The realization of a full colour TFELD represented a problem due to the poor luminance of blue emission. To overcome this problem, the mechanism of electroluminescence (EL) should be investigated in detail to find out the way to improve the device properties. The basic mechannism of electroluminescence is based on high-field acceleration of electrons to optical energies at which luminescent centers, intentionally introduced into the host material, could be impact excited. So, the transport process of electrons under an electric field is the key process since it determines the electrons energy. This process is the result of interaction between the acceleration of electrons by the electric field and the scattering of electrons by some kinds of scattering mecha

  • Název v anglickém jazyce

    Influence of charged centers on transport properties of thin film electroluminescent devices

  • Popis výsledku anglicky

    Thin film electroluminescent devices (TFELD) have become of great interest since they offer a possible means of achieving a high-resolution, light-weight, compact video display panel for computer terminals or television screens [1].The realization of a full colour TFELD represented a problem due to the poor luminance of blue emission. To overcome this problem, the mechanism of electroluminescence (EL) should be investigated in detail to find out the way to improve the device properties. The basic mechannism of electroluminescence is based on high-field acceleration of electrons to optical energies at which luminescent centers, intentionally introduced into the host material, could be impact excited. So, the transport process of electrons under an electric field is the key process since it determines the electrons energy. This process is the result of interaction between the acceleration of electrons by the electric field and the scattering of electrons by some kinds of scattering mecha

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2005

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Photonics Prague 2005

  • ISBN

    80-86742-08-3

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    2

  • Strana od-do

    145-146

  • Název nakladatele

    Zeithamlová Milena, Ing. - Agentura Action M

  • Místo vydání

    Prague

  • Místo konání akce

    Praha

  • Datum konání akce

    8. 6. 2005

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku