Lokální optické jevy v InAs/GaAs heterostrukturách s kvantovými tečkami a umělými molekulami

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU50746" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU50746 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Local optical phenomena in InAs/GaAs heterostructures with quantum dots and artificial molecules

Popis výsledku v původním jazyce

Due to a long electron lifetime at the excited levels of quantum dot (QDs), the use of QDs as a basis for new optoelectronic devices is very promising. Inter- and intraband light absorption studies in QDs are useful not only for investigations of photodetectors but they also are the necessary condition of the development of new types of mid-infrared lasers. In the paper the preliminary results of experimental and theoretical studies of the local optical phenomena in n- and p-doped InAs/GaAs QDs and arttificial molecules formed by pairs of QDs are presented. The peculiarities in local photoluminescence spectra can be associated with absorption peaks connected with intraband interlevel transitions of electrons and holes between the ground and excited states.

Název v anglickém jazyce

Local optical phenomena in InAs/GaAs heterostructures with quantum dots and artificial molecules

Popis výsledku anglicky

Due to a long electron lifetime at the excited levels of quantum dot (QDs), the use of QDs as a basis for new optoelectronic devices is very promising. Inter- and intraband light absorption studies in QDs are useful not only for investigations of photodetectors but they also are the necessary condition of the development of new types of mid-infrared lasers. In the paper the preliminary results of experimental and theoretical studies of the local optical phenomena in n- and p-doped InAs/GaAs QDs and arttificial molecules formed by pairs of QDs are presented. The peculiarities in local photoluminescence spectra can be associated with absorption peaks connected with intraband interlevel transitions of electrons and holes between the ground and excited states.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ME%20544" target="_blank" >ME 544: Polovodiče - lokální optické a elektrické vlastnosti</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of the Korean Physical Society

ISSN

0374-4884

e-ISSN

—

Svazek periodika

47

Číslo periodika v rámci svazku

96

Stát vydavatele periodika

KR - Korejská republika

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

"S162"-"S165"

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—