Lokální fotoluminescence v InAs/GaAs heterostrukturách s kvantovými tečkami a umělými molekulami

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU52403" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU52403 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Local photoluminescence in InAs/GaAs heterostructures with quantum dots and artificial molecules
Popis výsledku v původním jazyce
The use of QDs as a basis for new optoelectronic devices is very promising, due to a long electron lifetime at their excited levels. Therefore the inter- and intraband light absorption studies in QDs are useful not only for investigations of photodetectors but they also are the necessary condition of the development of new types of mid-infrared lasers. The preliminary results of experimental and theoretical studies of the optical phenomena in n- and p-doped InAs/GaAs QDs and artificial molecules formedby pairs of QDs are presented.
Název v anglickém jazyce
Local photoluminescence in InAs/GaAs heterostructures with quantum dots and artificial molecules
Popis výsledku anglicky
The use of QDs as a basis for new optoelectronic devices is very promising, due to a long electron lifetime at their excited levels. Therefore the inter- and intraband light absorption studies in QDs are useful not only for investigations of photodetectors but they also are the necessary condition of the development of new types of mid-infrared lasers. The preliminary results of experimental and theoretical studies of the optical phenomena in n- and p-doped InAs/GaAs QDs and artificial molecules formedby pairs of QDs are presented.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)