Zrychlené rastrování solárních článků v režimu LBIC.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU54476" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU54476 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Zrychlené rastrování solárních článků v režimu LBIC.

Popis výsledku v původním jazyce

Metoda rychlého rastrování může být použita v sériové výrobě pro rychlou kontrolu solárních článků. Lze jí odhalit přítomnost a lokalitu výskytu vad, ale ještě není natolik přesná, aby zachytila jemnější odchylky. V porovnání s metodou LBIC není tedy anitak přesná. Pro přesnější určení vady je dobré následně ještě použít metodu LBIC, která již může být aplikována pouze na vadnou část solárního článku.

Název v anglickém jazyce

Fast scanning solar cells.

Popis výsledku anglicky

For detecting of local defects in solar cells LBIC (Light Beam Induced Current) is a widely used universal method. The resulting picture indicates differences in local series and shunt resistances and differences in local rate of minority carriers recombination. A laser beam scanning over the solar cell surface is routinely used in this test. This process may take several hours depending on demanded picture resolution. A method for fast scanning of solar cells based on the LBIC measurement was proposedand tested. Instead of laser beam a linear light source consistent of multiple SMD LED diodes is used. Scanning is performed in both X and Y axes. In principle one scan in each coordinate is sufficient. The resulting current response is influenced by all defects allocated in the actual position of the actuating light beam line. The picture of the solar cell defects is computed combining the contributions from each line in both X and Y axes. Result of this computation is not the same as

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích 2005

ISBN

80-214-3116-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

98-100

Název nakladatele

Z. Novotny

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

12. 12. 2005

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—