šum 1/f v submikronových MOSFET tranzistorech

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU57212" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU57212 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

1/f noise in submicron MOSFETs

Popis výsledku v původním jazyce

The objectives of this paper are experimental investigations of the nature of the 1/f noise, if the source is mobile carrier number fluctuations or a fluctuation in the mobility. Experiments were performed in low frequency range, where the 1/f noise forsubmicron structures as MOSFETs and HEMTs is dominant. There are a low number of carriers in the active volume of those nanoscale devices; therefore it is supposed that 1/f noise will be dominant. Thus new valuable experimental results of noise spectral ldensity and its relation like charge carriers mean free path, mobility, dependence on temperature and electric field inten-sity will be obtained.

Název v anglickém jazyce

1/f noise in submicron MOSFETs

Popis výsledku anglicky

The objectives of this paper are experimental investigations of the nature of the 1/f noise, if the source is mobile carrier number fluctuations or a fluctuation in the mobility. Experiments were performed in low frequency range, where the 1/f noise forsubmicron structures as MOSFETs and HEMTs is dominant. There are a low number of carriers in the active volume of those nanoscale devices; therefore it is supposed that 1/f noise will be dominant. Thus new valuable experimental results of noise spectral ldensity and its relation like charge carriers mean free path, mobility, dependence on temperature and electric field inten-sity will be obtained.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Junior Scientist Conference

ISBN

3-902463-05-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

121-122

Název nakladatele

Vienna Universtity of Technology

Místo vydání

Vienna

Místo konání akce

Vienna

Datum konání akce

19. 4. 2006

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—