Reaktivní magnetronové naprašování vrstev SiNx pro povrchovou pasivaci krystalických solárních článků

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU65130" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU65130 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Reaktivní magnetronové naprašování vrstev SiNx pro povrchovou pasivaci krystalických solárních článků
Popis výsledku v původním jazyce
Hlavní výhodou pasivačních vrstev vytvářených reaktivním magnetronovým naprašováním je zejména nízká procesní teplota. Použití nízkoteplotní depozice umožňuje redukci poruch krystalické mřížky křemíkového povrchu. Díky tomu je snižována rekombinační rychlost a prodlužuje se doba života minoritních nosičů. Cílem práce je vytvořit pasivační vrstvu na povrchu fotovoltaického solárního článku, jejíž struktura umožní zlepšení optických a elektrických vlastností celého článku.
Název v anglickém jazyce
Reactive magnetron sputtering of SiNx layers for surface passivation of crystalline solar cells
Popis výsledku anglicky
For deposition of SiNx films the main advantage of magnetron sputtering technology is low process temperature. The amount of the crystal lattice deffect decrease when using this low-temperature process. The aim of work was evaluation of both front and back side surface recombinations and optical properties of sputtered layers.

Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Konference MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích
ISBN
80-214-3342-6
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
124-129
Název nakladatele
nakl. Z. Novotný
Místo vydání
NEUVEDEN
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
12. 12. 2006
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)