Šum mikroplazmy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU68519" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU68519 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Microplasma Noise - Coefficients of Generation and Recombination

Popis výsledku v původním jazyce

The occurence of microplasma regions in PN junctions is attributed to crystal lattice imperfections. As a rule, these regions feature lower strong-field avalanche ionization breakdown voltages than other homogenous PN junction regions [1]. The existenceof such regions may lead to local avalanche breakdowns occuring in reverse-biased PN junctions at certain voltage. These local avalanche breakdowns may exhibit as a current impulse noise. These impulses are usually represented by constant amplitude, random pulse width and pulse origin time points. The current impulse noise is dependent on voltage. When the reverse voltage on PN junction increases, frequency and width of impulses are also increasing. The microplasma bistable behaviour may be described with two-state stochastic process of generation-recombination type.

Název v anglickém jazyce

Microplasma Noise - Coefficients of Generation and Recombination

Popis výsledku anglicky

The occurence of microplasma regions in PN junctions is attributed to crystal lattice imperfections. As a rule, these regions feature lower strong-field avalanche ionization breakdown voltages than other homogenous PN junction regions [1]. The existenceof such regions may lead to local avalanche breakdowns occuring in reverse-biased PN junctions at certain voltage. These local avalanche breakdowns may exhibit as a current impulse noise. These impulses are usually represented by constant amplitude, random pulse width and pulse origin time points. The current impulse noise is dependent on voltage. When the reverse voltage on PN junction increases, frequency and width of impulses are also increasing. The microplasma bistable behaviour may be described with two-state stochastic process of generation-recombination type.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F06%2F1551" target="_blank" >GA102/06/1551: Diagnostika elektronických součástek s PN přechodem pomocí šumu mikroplazmy</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Student EEICT 2007

ISBN

978-80-214-3409-7

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

356-359

Název nakladatele

Ing. Zdeněk Novotný CSc, Ondráčkova 105, Brno

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

26. 4. 2007

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—