Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Vlastnosti optických pásem 850 nm a 1550 nm z pohledu jejich využití pro bezkabelové optické spoje

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU69569" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU69569 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Vlastnosti optických pásem 850 nm a 1550 nm z pohledu jejich využití pro bezkabelové optické spoje

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Publikace pojednává o parametrech bezkabelových optických spojů, které jsou nejvíce závislé na vlnové délce světla. Je porovnáván útlum atmosféry nat 850 nm a 1550 nm způsobený rozptylem na částicích a porovnáním citlivosti optického přijímače v závislosti na bitové rychlosti pro obě vlnové délky. Uvedené výpočty jsou provedeny pro zapojení lavinové a PIN fotodiody s vysokoimpedančním zesilovačem s tranzistorem MOSFET a s transimpedančním zesilovačem s bipolárním tranzistorem. Předpokládá se že pro vlnovou délku 850 nm jsou použity křemíkové fotodiody a pro 1550 nm fotodiody InGaAs.

  • Název v anglickém jazyce

    Properties of Optical Wavelengths 850 nm and 1550 nm From View of Their Use For Wireless Optical Links

  • Popis výsledku anglicky

    In the paper, the parameters of an optical wireless communication link which are most dependent on the optical wavelength are discussed. The paper deals with the comparison of the atmospheric attenuation at 850 nm and 1550 nm caused by scattering by theparticles present in the atmosphere and with comparison of the optical receiver sensitivity in dependence on a bit rate for both wavelength. Presented calculations are demonstrated on the connection of avalanche and PIN photodiodes with a high-impedanceamplifier using a MOSFET and with a transimpedance amplifier using a bipolar junction transistor. It is assumed that the silicon photodiodes work at a wavelength of 850 nm and the InGaAs photodiodes at 1550 nm.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA102%2F06%2F1358" target="_blank" >GA102/06/1358: Metodika návrhu optických bezkabelových spojů s vysokou spolehlivostí</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2007

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Sborník konference Komunikačné a informačné technológie (KIT 2007)

  • ISBN

    978-80-8040-325-6

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    6-9

  • Název nakladatele

    Akadémia ozbrojených sil generála M.R.Štefánika

  • Místo vydání

    Liptovský Mikuláš

  • Místo konání akce

    Tatranské Zruby

  • Datum konání akce

    3. 10. 2007

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku