Porovnání systémových parametrů bezkabelových optických spojů pro optická okna 850 nm a 1550 nm

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU74649" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU74649 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Comparison of System Parameters of Free Space Optical Links in 850 nm and 1550 nm Optical Windows

Popis výsledku v původním jazyce

In the paper, the parameters of free space optical links which are most dependent on the optical wavelength are discussed. The paper deals with the comparison of the atmospheric attenuation at 850 nm and 1550 nm caused by turbulence and scattering by theparticles present in the atmosphere and with comparison of the optical receiver sensitivity in dependence on a bit rate for both wavelength. Presented calculations are demonstrated on the connection of avalanche and PIN photodiodes with a high-impedanceamplifier using a MOSFET and with a transimpedance amplifier using a bipolar junction transistor. It is assumed that the silicon photodiodes work at a wavelength of 850 nm and the InGaAs photodiodes at 1550 nm.

Název v anglickém jazyce

Comparison of System Parameters of Free Space Optical Links in 850 nm and 1550 nm Optical Windows

Popis výsledku anglicky

In the paper, the parameters of free space optical links which are most dependent on the optical wavelength are discussed. The paper deals with the comparison of the atmospheric attenuation at 850 nm and 1550 nm caused by turbulence and scattering by theparticles present in the atmosphere and with comparison of the optical receiver sensitivity in dependence on a bit rate for both wavelength. Presented calculations are demonstrated on the connection of avalanche and PIN photodiodes with a high-impedanceamplifier using a MOSFET and with a transimpedance amplifier using a bipolar junction transistor. It is assumed that the silicon photodiodes work at a wavelength of 850 nm and the InGaAs photodiodes at 1550 nm.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F06%2F1358" target="_blank" >GA102/06/1358: Metodika návrhu optických bezkabelových spojů s vysokou spolehlivostí</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proocedings of The IASTED International Conference on Parallel and Distributed Computing and Networks

ISBN

978-0-88986-713-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Název nakladatele

IASTED

Místo vydání

Innsbruck

Místo konání akce

Innsbruck

Datum konání akce

12. 2. 2008

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—