Modelování kvantizačních jevů v NMOSFET kaníle

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU71778" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU71778 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Modeling of quantization effects in NMOSFET channel

Popis výsledku v původním jazyce

In short channel NMOSFET simulations, the threshold voltage is increased if the quantization effects are present. The contribution describes the influence of quantum mechanical size quantization effects in NMOSFET channel on the electrical properties ofNMOS transistor. Normal drift diffusion simulation (neglecting quantum effects), simulations including quantum correction models (van Dort model, the density gradient model) and the simulation including direct solution of the Schroedinger equation are compared. The simulations are run under GENESISe. The tool flow starts with the device editor MDRAW followed by device simulator DESSIS and visualization and extraction tools TECPLOT and INSPECT.

Název v anglickém jazyce

Modeling of quantization effects in NMOSFET channel

Popis výsledku anglicky

In short channel NMOSFET simulations, the threshold voltage is increased if the quantization effects are present. The contribution describes the influence of quantum mechanical size quantization effects in NMOSFET channel on the electrical properties ofNMOS transistor. Normal drift diffusion simulation (neglecting quantum effects), simulations including quantum correction models (van Dort model, the density gradient model) and the simulation including direct solution of the Schroedinger equation are compared. The simulations are run under GENESISe. The tool flow starts with the device editor MDRAW followed by device simulator DESSIS and visualization and extraction tools TECPLOT and INSPECT.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of Electronic Devices and Systems EDS`07 IMAPS CS International Conference 2007

ISBN

978-80-214-3470-7

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

442-446

Název nakladatele

Nakl. Novotný

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

BRNO

Datum konání akce

20. 9. 2007

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—