TCAD simulace s využitím van Dortova kvantově korekčního modelu

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU71777" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU71777 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

TCAD simulation using van Dort quantum correction model

Popis výsledku v původním jazyce

Some features of current MOSFETs (oxide thickness, channel width) have reached quantum mechanical length scales. Therefore, the wave nature of electrons and holes can no longer be neglected. The contribution deals with TCAD simulation of quantum corrections (QC) in the MOSFET channel. This effect is described by the phenomenological van Dort model, which accounts for the size quantization by increasing the effective band gap in the high-field region. The method to activate the van Dort model in DESSIS and to extract the threshold voltage increase and the subthreshold current reduction due to QC is described. The simulations are run under GENESISe. The tool flow starts with the device editor MDRAW followed by device simulator DESSIS and visualization and extraction tool INSPECT.

Název v anglickém jazyce

TCAD simulation using van Dort quantum correction model

Popis výsledku anglicky

Some features of current MOSFETs (oxide thickness, channel width) have reached quantum mechanical length scales. Therefore, the wave nature of electrons and holes can no longer be neglected. The contribution deals with TCAD simulation of quantum corrections (QC) in the MOSFET channel. This effect is described by the phenomenological van Dort model, which accounts for the size quantization by increasing the effective band gap in the high-field region. The method to activate the van Dort model in DESSIS and to extract the threshold voltage increase and the subthreshold current reduction due to QC is described. The simulations are run under GENESISe. The tool flow starts with the device editor MDRAW followed by device simulator DESSIS and visualization and extraction tool INSPECT.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of Electronic Devices and Systems EDS`07 IMAPS CS International Conference 2007

ISBN

978-80-214-3470-7

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

437-441

Název nakladatele

nakl. Novotný

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

BRNO

Datum konání akce

20. 9. 2007

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—