Simulace body efektu
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU78838" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU78838 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
BODY EFFECT SIMULATION BODY EFFECT SIMULATION
Popis výsledku v původním jazyce
The threshold voltage of a MOSFET can be shifted by biasing the substrate. This is known as 'body effect.' The contribution deals with TCAD simulation of this effect. The method to extract the threshold voltage shift due to body effect is described. Tendifferent NMOSFET device simulations generate ten transfer characteristics (curves of drain current vs. gate-source voltage) in order to illustrate threshold voltage shifts for defined substrate and drain voltages. The simulations are run under GENESISe.The tool flow starts with the device editor MDRAW followed by device simulator DESSIS. TECPLOT and INSPECT are used to visualize the simulated structure and the simulated curves.
Název v anglickém jazyce
BODY EFFECT SIMULATION BODY EFFECT SIMULATION
Popis výsledku anglicky
The threshold voltage of a MOSFET can be shifted by biasing the substrate. This is known as 'body effect.' The contribution deals with TCAD simulation of this effect. The method to extract the threshold voltage shift due to body effect is described. Tendifferent NMOSFET device simulations generate ten transfer characteristics (curves of drain current vs. gate-source voltage) in order to illustrate threshold voltage shifts for defined substrate and drain voltages. The simulations are run under GENESISe.The tool flow starts with the device editor MDRAW followed by device simulator DESSIS. TECPLOT and INSPECT are used to visualize the simulated structure and the simulated curves.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of Electronic Devices and Systems EDS`08 IMAPS CS International Conference 2008
ISBN
978-80-214-3717-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
—
Název nakladatele
Nakl. Novotný
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
10. 9. 2008
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—