Simulation of the Electrical Properties of a Graphene Monolayer Field Effect Transistor

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F24%3APU155971" target="_blank" >RIV/00216305:26620/24:PU155971 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://ieeexplore.ieee.org/document/10652423" target="_blank" >https://ieeexplore.ieee.org/document/10652423</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/IVNC63480.2024.10652423" target="_blank" >10.1109/IVNC63480.2024.10652423</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Simulation of the Electrical Properties of a Graphene Monolayer Field Effect Transistor

Popis výsledku v původním jazyce

Field-effect graphene transistors are finding increasing commercial and research applications. Simulation is an important step in facilitating this transition. It contributes to understanding the work process, identifying potential issues and minimizing the cost of production. In this work, the electrical characteristics of back-gated graphene field-effect transistor were simulated using ANSYS electronics software. The output current was studied by applying a voltage difference between the source and drain ranging from -5 mV to 5 mV. The back-gate applied voltage was -50 to 50 V. The results show that the gate voltage induced a similar change in both the contact and channel resistance but did not change the density of mobility of positive and negative carriers

Název v anglickém jazyce

Simulation of the Electrical Properties of a Graphene Monolayer Field Effect Transistor

Popis výsledku anglicky

Field-effect graphene transistors are finding increasing commercial and research applications. Simulation is an important step in facilitating this transition. It contributes to understanding the work process, identifying potential issues and minimizing the cost of production. In this work, the electrical characteristics of back-gated graphene field-effect transistor were simulated using ANSYS electronics software. The output current was studied by applying a voltage difference between the source and drain ranging from -5 mV to 5 mV. The back-gate applied voltage was -50 to 50 V. The results show that the gate voltage induced a similar change in both the contact and channel resistance but did not change the density of mobility of positive and negative carriers

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

21000 - Nano-technology

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2024

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

International Vacuum Nanoelectronics Conference

ISBN

979-8-3503-7977-8

ISSN

2164-2370

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

„“-„“

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

NEW YORK

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

15. 7. 2024

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

001310530600040