Mechanism and Suppression of Physisorbed-Water-Caused Hysteresis in Graphene FET Sensors
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F20%3APU139600" target="_blank" >RIV/00216305:26620/20:PU139600 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/70883521:28110/20:63526184
Výsledek na webu
<a href="https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acssensors.0c01441" target="_blank" >https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acssensors.0c01441</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1021/acssensors.0c01441" target="_blank" >10.1021/acssensors.0c01441</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Mechanism and Suppression of Physisorbed-Water-Caused Hysteresis in Graphene FET Sensors
Popis výsledku v původním jazyce
Hysteresis is a problem in field-effect transistors (FETs) often caused by defects and charge traps inside a gate isolating (e.g. SiO2) layer. This work shows that graphene-based FETs also exhibit hysteresis due to water physisorbed on top of graphene determined by the relative humidity level, which naturally happens in biosensors and ambient operating sensors. The hysteresis effect is explained by trapping of electrons by physisorbed water, and it is shown that this hysteresis can be suppressed using short pulses of alternating gate voltages.
Název v anglickém jazyce
Mechanism and Suppression of Physisorbed-Water-Caused Hysteresis in Graphene FET Sensors
Popis výsledku anglicky
Hysteresis is a problem in field-effect transistors (FETs) often caused by defects and charge traps inside a gate isolating (e.g. SiO2) layer. This work shows that graphene-based FETs also exhibit hysteresis due to water physisorbed on top of graphene determined by the relative humidity level, which naturally happens in biosensors and ambient operating sensors. The hysteresis effect is explained by trapping of electrons by physisorbed water, and it is shown that this hysteresis can be suppressed using short pulses of alternating gate voltages.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2020
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
ACS Sensors
ISSN
2379-3694
e-ISSN
—
Svazek periodika
5
Číslo periodika v rámci svazku
9
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
10
Strana od-do
2940-2949
Kód UT WoS článku
000573560800029
EID výsledku v databázi Scopus
—