Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Mechanism and Suppression of Physisorbed-Water-Caused Hysteresis in Graphene FET Sensors

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F20%3APU139600" target="_blank" >RIV/00216305:26620/20:PU139600 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/70883521:28110/20:63526184

  • Výsledek na webu

    <a href="https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acssensors.0c01441" target="_blank" >https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acssensors.0c01441</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1021/acssensors.0c01441" target="_blank" >10.1021/acssensors.0c01441</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Mechanism and Suppression of Physisorbed-Water-Caused Hysteresis in Graphene FET Sensors

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Hysteresis is a problem in field-effect transistors (FETs) often caused by defects and charge traps inside a gate isolating (e.g. SiO2) layer. This work shows that graphene-based FETs also exhibit hysteresis due to water physisorbed on top of graphene determined by the relative humidity level, which naturally happens in biosensors and ambient operating sensors. The hysteresis effect is explained by trapping of electrons by physisorbed water, and it is shown that this hysteresis can be suppressed using short pulses of alternating gate voltages.

  • Název v anglickém jazyce

    Mechanism and Suppression of Physisorbed-Water-Caused Hysteresis in Graphene FET Sensors

  • Popis výsledku anglicky

    Hysteresis is a problem in field-effect transistors (FETs) often caused by defects and charge traps inside a gate isolating (e.g. SiO2) layer. This work shows that graphene-based FETs also exhibit hysteresis due to water physisorbed on top of graphene determined by the relative humidity level, which naturally happens in biosensors and ambient operating sensors. The hysteresis effect is explained by trapping of electrons by physisorbed water, and it is shown that this hysteresis can be suppressed using short pulses of alternating gate voltages.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2020

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    ACS Sensors

  • ISSN

    2379-3694

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    5

  • Číslo periodika v rámci svazku

    9

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    10

  • Strana od-do

    2940-2949

  • Kód UT WoS článku

    000573560800029

  • EID výsledku v databázi Scopus