Fluktuační jevy v elektronických součástkách: tantalové kondenzátory, tlustovrstvové odpory a heterostruktury FET

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU74378" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU74378 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Fluktuační jevy v elektronických součástkách: tantalové kondenzátory, tlustovrstvové odpory a heterostruktury FET
Popis výsledku v původním jazyce
Publikace pojednává o problematice fluktuačních jevů při transportu náboje v polovodičových materiálech a součástkách a o aplikacích šumové spektroskopie pro odhad kvality a spolehlivosti pasivních i aktivních elektronických součástek
Název v anglickém jazyce
Fluctuation phenomena in electronic devices: tantalum capacitors, thick film resistors and heterostructures FET
Popis výsledku anglicky
Booklet deals with low-frequency noise in electronic materials and devices and and its use as a diagnostic tool for device characterisation. Noise spectroscopy is very sensitive technique for analysis of bulk and interface defects, determining quality and reliability of electronic devices. Fluctuation phenomena in wide range of passive and active devices are discussed, comprising noise in tantalum capacitors, thick film resistors and field effect transistors, based either on silicon, or novel III-V heterostructures, such as InGaAs/InAlAs or GaN/AlGaN.

Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)