Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Použití schématu driftu a difuze pro simulaci polovodičových struktur

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU75947" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU75947 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Semiconductor devices simulation using drift diffusion scheme

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The paper deals with the numerical modeling of the semiconductor devices. The drift-diffusion macro model of the free carriers transport is discussed and combined with the Poisson equation to evaluation of device features. The thermal phenomenon is considered in correct physical model of the power components. The basic semiconductor equations are summarized, and modeling issues are discussed. The demonstrative simulation of the Gunn diode is performed in COMSOL Multiphysics computation environment usingfinite element method.

  • Název v anglickém jazyce

    Semiconductor devices simulation using drift diffusion scheme

  • Popis výsledku anglicky

    The paper deals with the numerical modeling of the semiconductor devices. The drift-diffusion macro model of the free carriers transport is discussed and combined with the Poisson equation to evaluation of device features. The thermal phenomenon is considered in correct physical model of the power components. The basic semiconductor equations are summarized, and modeling issues are discussed. The demonstrative simulation of the Gunn diode is performed in COMSOL Multiphysics computation environment usingfinite element method.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2008

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Sborník příspěvků konference ZVŮLE 2008

  • ISBN

    978-80-214-3709-8

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    VUT v Brně, FEKT

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Zvůle

  • Datum konání akce

    25. 8. 2008

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku