Identifikace parametrů modelů polovodičových prvků užitím optimalizačních metod

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F07%3A03131080" target="_blank" >RIV/68407700:21230/07:03131080 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Identifying Model Parameters of Semiconductor Devices Using Optimization Techniques

Popis výsledku v původním jazyce

The optimization is an indispensable tool for extracting the parameters of any complicated models. Hence, advanced optimization techniques are also necessary for identifying the model parameters of semiconductor devices because their current models are very sophisticated (especially the BJT and MOSFET ones). The equations of such models contain typically one hundred parameters. Therefore, the measurement and particularly identification of the full set of the model parameters is very difficult. In the paper, an optimization method is presented which is applicable for the identifications of very complicated models using a relatively small number of iterations. The algorithm has been implemented into the original software tool C.I.A. (Circuit InteractiveAnalyzer) to its static and dynamic analysis modes. Therefore, the optimization is able to identify both direct-current and capacitance models of semiconductor devices. The process is demonstrated with various transistors.

Název v anglickém jazyce

Identifying Model Parameters of Semiconductor Devices Using Optimization Techniques

Popis výsledku anglicky

The optimization is an indispensable tool for extracting the parameters of any complicated models. Hence, advanced optimization techniques are also necessary for identifying the model parameters of semiconductor devices because their current models are very sophisticated (especially the BJT and MOSFET ones). The equations of such models contain typically one hundred parameters. Therefore, the measurement and particularly identification of the full set of the model parameters is very difficult. In the paper, an optimization method is presented which is applicable for the identifications of very complicated models using a relatively small number of iterations. The algorithm has been implemented into the original software tool C.I.A. (Circuit InteractiveAnalyzer) to its static and dynamic analysis modes. Therefore, the optimization is able to identify both direct-current and capacitance models of semiconductor devices. The process is demonstrated with various transistors.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F05%2F0277" target="_blank" >GA102/05/0277: Obvody v proudovém a smíšeném módu pro zpracování analogových signálů</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the ITI 2007 29th International Conference on Information Technology Interfaces

ISBN

978-953-7138-09-7

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

603-608

Název nakladatele

SRCE University of Zagreb

Místo vydání

Zagreb

Místo konání akce

Cavtat

Datum konání akce

25. 6. 2007

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—