Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Reliable procedure for electrical characterization of MOS-based devices

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F10%3A00170810" target="_blank" >RIV/68407700:21230/10:00170810 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Reliable procedure for electrical characterization of MOS-based devices

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Contemporary models of MOSFET are very complicated, especially the BSIM and EKV ones. Therefore, an identification of many parameters of these models is quite a difficult task from both algorithmic and numeric points of view. Moreover, the complexity ofthe models makes an optimization of MOS-based functional blocks too difficult. This paper suggests several improvements of both mono-objective and multi-objective optimization methods to enhance the reliability of extraction of the model parameters and to find the most achievable properties of the MOS-based functional blocks.

  • Název v anglickém jazyce

    Reliable procedure for electrical characterization of MOS-based devices

  • Popis výsledku anglicky

    Contemporary models of MOSFET are very complicated, especially the BSIM and EKV ones. Therefore, an identification of many parameters of these models is quite a difficult task from both algorithmic and numeric points of view. Moreover, the complexity ofthe models makes an optimization of MOS-based functional blocks too difficult. This paper suggests several improvements of both mono-objective and multi-objective optimization methods to enhance the reliability of extraction of the model parameters and to find the most achievable properties of the MOS-based functional blocks.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BA - Obecná matematika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA102%2F08%2F0784" target="_blank" >GA102/08/0784: Speciální metody modelování a simulace spínaných obvodů</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Solid-State Electronics

  • ISSN

    0038-1101

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    54

  • Číslo periodika v rámci svazku

    10

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    12

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000281019100022

  • EID výsledku v databázi Scopus