Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

ELECTRO-ULTRASONIC SPECTROSCOPY OF MOSFETS

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F09%3APU81551" target="_blank" >RIV/00216305:26220/09:PU81551 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    ELECTRO-ULTRASONIC SPECTROSCOPY OF MOSFETS

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We have tested the sample of MOSFET by electro-ultrasonic spectroscopy. Electro-ultrasonic spectroscopy is non-destructive testing method. This method is based on interaction of two signals. Electrical signal of frequency fE and ultrasonic signal of frequency fU. The ultrasonic signal induces the resistance change in the sample structure. Defects and un-homogeneities are the sources of new signal on frequency which is given by superposition or subtraction of exciting frequencies fE and fU. We suppose that the ultrasonic wave have some influence on the particle mobility. We have tested the sample of MOSFET IRF 510. We have analyzed signal on frequency of ultrasonic excitation fU for different amplitudes on DC drain voltage and gate voltage. In this paper you can see some results which consequent from our measurements

  • Název v anglickém jazyce

    ELECTRO-ULTRASONIC SPECTROSCOPY OF MOSFETS

  • Popis výsledku anglicky

    We have tested the sample of MOSFET by electro-ultrasonic spectroscopy. Electro-ultrasonic spectroscopy is non-destructive testing method. This method is based on interaction of two signals. Electrical signal of frequency fE and ultrasonic signal of frequency fU. The ultrasonic signal induces the resistance change in the sample structure. Defects and un-homogeneities are the sources of new signal on frequency which is given by superposition or subtraction of exciting frequencies fE and fU. We suppose that the ultrasonic wave have some influence on the particle mobility. We have tested the sample of MOSFET IRF 510. We have analyzed signal on frequency of ultrasonic excitation fU for different amplitudes on DC drain voltage and gate voltage. In this paper you can see some results which consequent from our measurements

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BE - Teoretická fyzika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2009

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    IEEE Workshop Králíky 2009

  • ISBN

    978-80-214-3938-2

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    Neuveden

  • Místo vydání

    Neuveden

  • Místo konání akce

    Králíky

  • Datum konání akce

    31. 8. 2009

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku