Ztráty v mikroskopii blízkého pole způsobené ostrou sondou

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F09%3APU82387" target="_blank" >RIV/00216305:26220/09:PU82387 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Loss in the near-field optical microscopy due to the tapered probe

Popis výsledku v původním jazyce

Near-field optical techniques are presently widely used to study various optical characteristics of transparent or opaque microscopic structures such as optical waveguides, photonic crystals, semiconductor junctions, nanostructured systems. To control alight-matter interaction at nanometer distance, structures guiding electromagnetic energy with lateral mode confinement below the diffraction limit of light are necessary. Tapered tiny optical fiber probe is a crucial part of the system, governs its resolution, and simultaneously could play role as light source, detector, or both. Therefore it must be protected against mechanical vibration, cracks, etc. For its accurate simulation, it is essential that its geometry is correctly described, especially when coupling to evanescent field is considered.

Název v anglickém jazyce

Loss in the near-field optical microscopy due to the tapered probe

Popis výsledku anglicky

Near-field optical techniques are presently widely used to study various optical characteristics of transparent or opaque microscopic structures such as optical waveguides, photonic crystals, semiconductor junctions, nanostructured systems. To control alight-matter interaction at nanometer distance, structures guiding electromagnetic energy with lateral mode confinement below the diffraction limit of light are necessary. Tapered tiny optical fiber probe is a crucial part of the system, governs its resolution, and simultaneously could play role as light source, detector, or both. Therefore it must be protected against mechanical vibration, cracks, etc. For its accurate simulation, it is essential that its geometry is correctly described, especially when coupling to evanescent field is considered.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F08%2F1474" target="_blank" >GA102/08/1474: Lokální optická a elektrická charakterizace optoelektronických struktur s nanometrickým rozlišením</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceeding Physics of Materials 09

ISBN

978-80-8086-122-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

Technical University košice

Místo vydání

Košice, Slovensko

Místo konání akce

Košice

Datum konání akce

14. 10. 2009

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—