ELECTRON TRANSPORT IN TA NANOLAYERS: APPLICATION TO TANTALUM CAPACITORS

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU86945" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU86945 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

ELECTRON TRANSPORT IN TA NANOLAYERS: APPLICATION TO TANTALUM CAPACITORS

Popis výsledku v původním jazyce

Tantalum pent oxide thin films are used as dielectric layers for capacitors, gate insulating layers for MOSFETS, RF MEMS switches, etc. Charge carriers transport mechanism and charge storage in insulating layer are important parameters for the application in these devices. Ta205 films show good electrical and dielectric properties for considered applications and low leakage current density value 4x10-8A/cm2 for the electric field 2 MV/cm. Dominant mechanism of charge carriers' transport is ohmic conduction for the low electric field, while Pool-Frenkel mechanism become dominant for electric field in the range 1 to 2.5 MV/cm. Tunneling current component is comparable with Pool-Frenkel current component or become dominant for electric field higher than 2MV/cm at temperature lower then 200 K.

Název v anglickém jazyce

ELECTRON TRANSPORT IN TA NANOLAYERS: APPLICATION TO TANTALUM CAPACITORS

Popis výsledku anglicky

Tantalum pent oxide thin films are used as dielectric layers for capacitors, gate insulating layers for MOSFETS, RF MEMS switches, etc. Charge carriers transport mechanism and charge storage in insulating layer are important parameters for the application in these devices. Ta205 films show good electrical and dielectric properties for considered applications and low leakage current density value 4x10-8A/cm2 for the electric field 2 MV/cm. Dominant mechanism of charge carriers' transport is ohmic conduction for the low electric field, while Pool-Frenkel mechanism become dominant for electric field in the range 1 to 2.5 MV/cm. Tunneling current component is comparable with Pool-Frenkel current component or become dominant for electric field higher than 2MV/cm at temperature lower then 200 K.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F09%2F1920" target="_blank" >GA102/09/1920: Stochastické jevy v polovodičových strukturách MIS a MIM</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

PROCEEEDINGS OF THE 16TH CONFERENCE - STUDENT EEICT 2010

ISBN

978-80-214-4079-1

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

NOVPRESS s.r.o.

Místo vydání

nam. Republiky 15 614 00 Brno

Místo konání akce

FEKT VUT v Brně

Datum konání akce

29. 4. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—