NOISE AND ELECTRON TRANSPORT MECHANISMS IN Nb2O5 THIN FILMS IN WIDE TEMPERATURE RANGE

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU93447" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU93447 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

NOISE AND ELECTRON TRANSPORT MECHANISMS IN Nb2O5 THIN FILMS IN WIDE TEMPERATURE RANGE

Popis výsledku v původním jazyce

The paper presents the experimental analysis of low frequency noise and charge carrier transport mechanisms in Nb2O5 thin films. The ohmic conduction is dominant for the low electric field. Poole-Frenkel and Schottky mechanism become dominant for electric fields up to 125MV/m. Tunneling current becomes dominant for electric field higher than 125-175 MV/m. This value depend on the temperature. It was proved experimentally at the room temperature that GR noise is dominant for the low electric field (Poole-Frenkel current and Schottky current), while for the high electric field, where the tunneling current is dominant, the low frequency noise is 1/f type. We have arranged the measuring set-up which allows the CV and IV characteristics and low frequency noise measurements in the temperature range 10 to 400 K. The voltage noise spectral density is 1/f type as we expect for high electric field on the sample. The leakage current is exhibiting the tunneling current component only in the temper

Název v anglickém jazyce

NOISE AND ELECTRON TRANSPORT MECHANISMS IN Nb2O5 THIN FILMS IN WIDE TEMPERATURE RANGE

Popis výsledku anglicky

The paper presents the experimental analysis of low frequency noise and charge carrier transport mechanisms in Nb2O5 thin films. The ohmic conduction is dominant for the low electric field. Poole-Frenkel and Schottky mechanism become dominant for electric fields up to 125MV/m. Tunneling current becomes dominant for electric field higher than 125-175 MV/m. This value depend on the temperature. It was proved experimentally at the room temperature that GR noise is dominant for the low electric field (Poole-Frenkel current and Schottky current), while for the high electric field, where the tunneling current is dominant, the low frequency noise is 1/f type. We have arranged the measuring set-up which allows the CV and IV characteristics and low frequency noise measurements in the temperature range 10 to 400 K. The voltage noise spectral density is 1/f type as we expect for high electric field on the sample. The leakage current is exhibiting the tunneling current component only in the temper

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proc. IMAPS CS Int. Conf. Electronic Devices and Systems EDS 2011

ISBN

978-80-214-4303-7

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

279

Strana od-do

217-222

Název nakladatele

NOVPRESS s.r.o.

Místo vydání

Nám. Republiky 614 00 Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

22. 6. 2011

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—