Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Microscale localization of low light emitting spots in reversed-biased silicon solar cells

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU87652" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU87652 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Microscale localization of low light emitting spots in reversed-biased silicon solar cells

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We present the results of an investigation of the sub-micron irregularities in a monocrystalline silicon solar cell structure utilizing scanning near-field microscopy. The experiments rely on the fact that silicon solar cells under reverse bias exhibit micron-scale low-light emitting centers. A novel method allowing simultaneous localization and measurement of this light on the microscale is presented. The method allows the characterization of these irregularities with high spatial resolution.

  • Název v anglickém jazyce

    Microscale localization of low light emitting spots in reversed-biased silicon solar cells

  • Popis výsledku anglicky

    We present the results of an investigation of the sub-micron irregularities in a monocrystalline silicon solar cell structure utilizing scanning near-field microscopy. The experiments rely on the fact that silicon solar cells under reverse bias exhibit micron-scale low-light emitting centers. A novel method allowing simultaneous localization and measurement of this light on the microscale is presented. The method allows the characterization of these irregularities with high spatial resolution.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA102%2F08%2F1474" target="_blank" >GA102/08/1474: Lokální optická a elektrická charakterizace optoelektronických struktur s nanometrickým rozlišením</a><br>

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS

  • ISSN

    0927-0248

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    94

  • Číslo periodika v rámci svazku

    12

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000283959500059

  • EID výsledku v databázi Scopus