Contribution to modeling of stressing in microelectronic structures

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU88156" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU88156 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Contribution to modeling of stressing in microelectronic structures
Popis výsledku v původním jazyce
Topic of my article is modeling of thermomechanical stressing in modern microelectronic structures. Simulations are made using software ANSYS, which is based on Finite Element Method (FEM). Using this method, thermomechanical stressing in various structures was modeled. After simulations, data evaluation and comparison of yielded results was made to determine amplitudes and differences between stressing in various regions of modeled structure and between individual structures.
Název v anglickém jazyce
Contribution to modeling of stressing in microelectronic structures
Popis výsledku anglicky
Topic of my article is modeling of thermomechanical stressing in modern microelectronic structures. Simulations are made using software ANSYS, which is based on Finite Element Method (FEM). Using this method, thermomechanical stressing in various structures was modeled. After simulations, data evaluation and comparison of yielded results was made to determine amplitudes and differences between stressing in various regions of modeled structure and between individual structures.

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F09%2F1701" target="_blank" >GA102/09/1701: Výzkum a vývoj nových principů pájení pro zvýšení spolehlivosti bezolovnatých pájených spojů</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)