Příspěvek k problematice termomechanického namáhání v mikroelektronických strukturách

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU90278" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU90278 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Příspěvek k problematice termomechanického namáhání v mikroelektronických strukturách
Popis výsledku v původním jazyce
Článek pojednává o modelování termomechanického namáhání v moderních mikroelektronických strukturách. Počítačové simulace jsou prováděny za využití výpočetního systému ANSYS, který je založen na metodě konečných prvků (FEM). Po simulaci byla získána data vyhodnocena a bylo provedeno porovnání získaných výsledků za účelem určení rozdílu mezi pnutím v různých částech modelované struktury a mezi různými strukturami.
Název v anglickém jazyce
Contribution to modeling of stressing microelectronic structures
Popis výsledku anglicky
Topic of my article is modeling of thermomechanical stressing in modern microelectronic structures. Simulations are made using software ANSYS, which is based on Finite Element Method (FEM). Using this method, thermomechanical stressing in various structures was modeled. After simulations, data evaluation and comparison of yielded results was made to determine amplitudes and differences between stressing in various regions of modeled structure and between individual structures.

Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích. (id 15937)
ISBN
978-80-214-4229-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
115
Strana od-do
19-24
Název nakladatele
NOVPRESS
Místo vydání
BRNO
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
14. 12. 2007
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)