1/f noise models and low-frequency noise characteristics of InAlAs/ InGaAs devices

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU89234" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU89234 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

1/f noise models and low-frequency noise characteristics of InAlAs/ InGaAs devices

Popis výsledku v původním jazyce

Transport and low frequency noise characteristics of In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs heterostructures were measured in wide temperature range (15 K to 450 K) and experi-mental results compared with intrinsic 1/f noise models, estimating mobility fluctuations due to various scattering processes.

Název v anglickém jazyce

1/f noise models and low-frequency noise characteristics of InAlAs/ InGaAs devices

Popis výsledku anglicky

Transport and low frequency noise characteristics of In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs heterostructures were measured in wide temperature range (15 K to 450 K) and experi-mental results compared with intrinsic 1/f noise models, estimating mobility fluctuations due to various scattering processes.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F08%2F0260" target="_blank" >GA102/08/0260: Nízkofrekvenční šum v submikronových MOSFET a HEMT strukturách</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physica Status Solidi C

ISSN

1610-1642

e-ISSN

—

Svazek periodika

8

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—